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Si4472DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
0.20
I D = 5 A
10
1
T J = 150 °C
0.16
0.12
0.1
0.01
0.001
T J = 25 °C
0.0 8
0.04
0.00
T J = 25 °C
T J = 125 °C
0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1
1.2
0
2
4
6
8
10
1.0
0.5
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
200
160
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.0
- 0.5
- 1.0
- 1.5
I D = 5 mA
120
8 0
40
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - Temperat u re ( C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited b y R DS(on) *
10
1 ms
1
10 ms
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
100 ms
1s
10 s
DC
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 74283
S11-0209-Rev. C, 14-Feb-11
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